@article{memristors,
author = "Kłos, Jarosław W. and K. Badnarek and L. Kasprzyk and Mieszczak, Szymon",
abstract = "W pracy om{\'o}wiono memrystory – nowe elementy obwod{\'o}w elektrycznych, kt{\'o}rych stosowanie może znacząco przyczynić się do rozwoju technologii informacyjnych. Opisano własności funkcjonalne memrystor{\'o}w ferroelektrycznych ze złączem tunelowym oraz memrystor{\'o}w z dwutlenku tytanu z mobilnymi wakansami tlenowymi. Przedstawiono r{\'o}wnież symulacje pracy memrystor{\'o}w oraz możliwości ich zastosowań.",
doi = "10.15199/48.2019.01.15",
journal = "Przegląd Elektrotechniczny",
number = "1",
pages = "57",
title = "{R}ozwiązania techniczne i zasady funkcjonowania memrystor{\'o}",
url = "http://pe.org.pl/articles/2019/1/15.pdf",
volume = "95",
year = "2019",
}