Rozwiązania techniczne i zasady funkcjonowania memrystorów

Kłos, Jarosław W.; K. Badnarek; L. Kasprzyk; Mieszczak, Szymon

Start

Zespół

Byli pracownicy i studenci

Rozwiązania techniczne i zasady funkcjonowania memrystorów

BibTex:
Obszar badań:	Uncategorized	Rok:	2019
Rodzaj publikacji:	Artykuł
Autorzy:	Jarosław W. Kłos K. Badnarek L. Kasprzyk Szymon Mieszczak
Czasopismo:	Przegląd Elektrotechniczny	Wolumin:	95
Number:	1	Strony:	57


@article{memristors, author = "Kłos, Jarosław W. and K. Badnarek and L. Kasprzyk and Mieszczak, Szymon", abstract = "W pracy om{\'o}wiono memrystory – nowe elementy obwod{\'o}w elektrycznych, kt{\'o}rych stosowanie może znacząco przyczynić się do rozwoju technologii informacyjnych. Opisano własności funkcjonalne memrystor{\'o}w ferroelektrycznych ze złączem tunelowym oraz memrystor{\'o}w z dwutlenku tytanu z mobilnymi wakansami tlenowymi. Przedstawiono r{\'o}wnież symulacje pracy memrystor{\'o}w oraz możliwości ich zastosowań.", doi = "10.15199/48.2019.01.15", journal = "Przegląd Elektrotechniczny", number = "1", pages = "57", title = "{R}ozwiązania techniczne i zasady funkcjonowania memrystor{\'o}", url = "http://pe.org.pl/articles/2019/1/15.pdf", volume = "95", year = "2019", }
Streszczenie:	W pracy omówiono memrystory – nowe elementy obwodów elektrycznych, których stosowanie może znacząco przyczynić się do rozwoju technologii informacyjnych. Opisano własności funkcjonalne memrystorów ferroelektrycznych ze złączem tunelowym oraz memrystorów z dwutlenku tytanu z mobilnymi wakansami tlenowymi. Przedstawiono również symulacje pracy memrystorów oraz możliwości ich zastosowań.
Pełen text: Rozwiązania techniczne i zasady funkcjonowania memrystorów.pdf Wersja on-line [Bibtex] [RIS]

[ Wróć ]

Zakład Fizyki Nanostruktur

Rozwiązania techniczne i zasady funkcjonowania memrystorów